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ON Semiconductor FDP80N06 MOSFET 1 Canal N 176 W TO-220-3
Tipo de producto
MOSFET
viviendas
TO-220-3
ejecución
Canal N
Potencia (máx.) P (TOT)
176 W
R(DS)(on)
10 mΩ
EAN:
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Especificaciones técnicas
- tipo
FDP80N06
- Tipo de producto
MOSFET
- viviendas
TO-220-3
- Fabricante
ON Semiconductor
- Abrev. fabricante
OnS
- ejecución
Canal N
- I(d)
80 A
- T
60 V
- Potencia (máx.) P (TOT)
176 W
- R(DS)(on)
10 mΩ
- R(DS)(encendido) corriente de referencia
40 A
- R(DS)(encendido) tensión de referencia
10 V
- U(GS)(th) máx.
4 V
- U(GS)(th) corriente de referencia máxima
250 µA
- Q(G)
74 nC
- Q(G) tensión de referencia
10 V
- C(ISS)
3190 pF
- C(ISS) tensión de referencia
25 V
- Temperatura de funcionamiento (min.)
-55 °C
- Tipo de montaje
Agujero pasante
- serie
UniFET™
- Temperatura de funcionamiento (máx.)
+175 °C
- Característica del transistor
Estándar
- U(DSS)
60 V
- canales
1
- Contenido
1 UD(S).
Documentos y descargas
Indicaciones de uso y seguridad
Indicaciones de uso y seguridad 1263824 ON Semiconductor FDP80N06 MOSFET 1 Canal N 176 W TO-220-3
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