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ON Semiconductor FDP51N25 MOSFET 1 Canal N 320 W TO-220-3
Tipo de producto
MOSFET
viviendas
TO-220-3
ejecución
Canal N
Potencia (máx.) P (TOT)
320 W
R(DS)(on)
60 mΩ
EAN:
N.º pieza fabr.:
N.º artículo:
Número
Mín.: 10
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Especificaciones técnicas
- tipo
FDP51N25
- Tipo de producto
MOSFET
- viviendas
TO-220-3
- Fabricante
ON Semiconductor
- Abrev. fabricante
OnS
- ejecución
Canal N
- I(d)
51 A
- T
250 V
- Potencia (máx.) P (TOT)
320 W
- R(DS)(on)
60 mΩ
- R(DS)(encendido) corriente de referencia
25.5 A
- R(DS)(encendido) tensión de referencia
10 V
- U(GS)(th) máx.
5 V
- U(GS)(th) corriente de referencia máxima
250 µA
- Q(G)
70 nC
- Q(G) tensión de referencia
10 V
- C(ISS)
3410 pF
- C(ISS) tensión de referencia
25 V
- Temperatura de funcionamiento (min.)
-55 °C
- Tipo de montaje
Agujero pasante
- serie
UniFET™
- Temperatura de funcionamiento (máx.)
+150 °C
- Característica del transistor
Estándar
- U(DSS)
250 V
- canales
1
- Contenido
1 UD(S).
Documentos y descargas
Indicaciones de uso y seguridad
Indicaciones de uso y seguridad 1263812 ON Semiconductor FDP51N25 MOSFET 1 Canal N 320 W TO-220-3
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