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ON Semiconductor FDC3512 MOSFET 1 Canal N 800 mW SOT-23-6
Tipo de producto
MOSFET
viviendas
SOT-23-6
ejecución
Canal N
Potencia (máx.) P (TOT)
800 mW
R(DS)(on)
77 mΩ
EAN:
N.º pieza fabr.:
N.º artículo:
Especificaciones técnicas
- tipo
FDC3512
- Tipo de producto
MOSFET
- viviendas
SOT-23-6
- Fabricante
ON Semiconductor
- Abrev. fabricante
OnS
- ejecución
Canal N
- I(d)
3 A
- T
80 V
- Potencia (máx.) P (TOT)
800 mW
- R(DS)(on)
77 mΩ
- R(DS)(encendido) corriente de referencia
3 A
- R(DS)(encendido) tensión de referencia
10 V
- U(GS)(th) máx.
4 V
- U(GS)(th) corriente de referencia máxima
250 µA
- Q(G)
18 nC
- Q(G) tensión de referencia
10 V
- C(ISS)
634 pF
- C(ISS) tensión de referencia
40 V
- Temperatura de funcionamiento (min.)
-55 °C
- Tipo de montaje
Montaje en superficie
- serie
PowerTrench®
- Temperatura de funcionamiento (máx.)
+150 °C
- Característica del transistor
Estándar
- U(DSS)
80 V
- canales
1
- Contenido
1 UD(S).
Documentos y descargas
Indicaciones de uso y seguridad
Indicaciones de uso y seguridad 1263334 ON Semiconductor FDC3512 MOSFET 1 Canal N 800 mW SOT-23-6
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