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Infineon Technologies IRFB4127PBF MOSFET 1 Canal N 375 W TO-220AB
Tipo de producto
MOSFET
viviendas
TO-220AB
ejecución
Canal N
Potencia (máx.) P (TOT)
375 W
R(DS)(on)
20 mΩ
Ficha técnica (PDF)
EAN:
N.º pieza fabr.:
N.º artículo:
Número
Mín.: 10
Múltiplos: 10
Total (3,79 € / Unidad)
3,79 €
IVA incl.
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Especificaciones técnicas
- tipo
IRFB4127PBF
- Tipo de producto
MOSFET
- viviendas
TO-220AB
- Fabricante
Infineon Technologies
- Abrev. fabricante
INF
- ejecución
Canal N
- I(d)
76 A
- T
200 V
- Potencia (máx.) P (TOT)
375 W
- R(DS)(on)
20 mΩ
- R(DS)(encendido) corriente de referencia
44 A
- R(DS)(encendido) tensión de referencia
10 V
- U(GS)(th) máx.
5 V
- U(GS)(th) corriente de referencia máxima
250 µA
- Q(G)
150 nC
- Q(G) tensión de referencia
10 V
- C(ISS)
5380 pF
- C(ISS) tensión de referencia
50 V
- Temperatura de funcionamiento (min.)
-55 °C
- Tipo de montaje
Agujero pasante
- serie
HEXFET®
- Temperatura de funcionamiento (máx.)
+175 °C
- Característica del transistor
Estándar
- U(DSS)
200 V
- canales
1
- Contenido
1 UD(S).
Documentos y descargas
Ficha técnica
Ficha técnica 564026 Infineon Technologies IRFB4127PBF MOSFET 1 Canal N 375 W TO-220AB
Indicaciones de uso y seguridad
Indicaciones de uso y seguridad 564026 Infineon Technologies IRFB4127PBF MOSFET 1 Canal N 375 W TO-220AB
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