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Infineon Technologies IRF8010PBF MOSFET 1 Canal N 260 W TO-220AB
Tipo de producto
MOSFET
viviendas
TO-220AB
ejecución
Canal N
Potencia (máx.) P (TOT)
260 W
R(DS)(on)
15 mΩ
Ficha técnica (PDF)
EAN:
N.º pieza fabr.:
N.º artículo:
Especificaciones técnicas
- tipo
IRF8010PBF
- Tipo de producto
MOSFET
- viviendas
TO-220AB
- Fabricante
Infineon Technologies
- Abrev. fabricante
INF
- ejecución
Canal N
- I(d)
80 A
- T
100 V
- Potencia (máx.) P (TOT)
260 W
- R(DS)(on)
15 mΩ
- R(DS)(encendido) corriente de referencia
45 A
- R(DS)(encendido) tensión de referencia
10 V
- U(GS)(th) máx.
4 V
- U(GS)(th) corriente de referencia máxima
250 µA
- Q(G)
120 nC
- Q(G) tensión de referencia
10 V
- C(ISS)
3830 pF
- C(ISS) tensión de referencia
25 V
- Temperatura de funcionamiento (min.)
-55 °C
- Tipo de montaje
Agujero pasante
- serie
HEXFET®
- Temperatura de funcionamiento (máx.)
+175 °C
- Característica del transistor
Estándar
- U(DSS)
100 V
- canales
1
- Contenido
1 UD(S).
Documentos y descargas
Ficha técnica
Ficha técnica 564010 Infineon Technologies IRF8010PBF MOSFET 1 Canal N 260 W TO-220AB
Indicaciones de uso y seguridad
Indicaciones de uso y seguridad 564010 Infineon Technologies IRF8010PBF MOSFET 1 Canal N 260 W TO-220AB
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