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Vishay SI4946BEY-T1-E3 MOSFET 2 Canal N 3.7 W SOIC-8
Tipo de producto
MOSFET
viviendas
SOIC-8
ejecución
Canal N
Potencia (máx.) P (TOT)
3.7 W
R(DS)(on)
41 mΩ
Ficha técnica (PDF)
EAN:
N.º pieza fabr.:
N.º artículo:
Total (5,49 € / Unidad)
5,49 €
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Especificaciones técnicas
- tipo
SI4946BEY-T1-E3
- Tipo de producto
MOSFET
- viviendas
SOIC-8
- Fabricante
Vishay
- Abrev. fabricante
VIS
- ejecución
Canal N
- I(d)
6.5 A
- T
60 V
- Potencia (máx.) P (TOT)
3.7 W
- R(DS)(on)
41 mΩ
- R(DS)(encendido) corriente de referencia
5.3 A
- R(DS)(encendido) tensión de referencia
10 V
- U(GS)(th) máx.
3 V
- U(GS)(th) corriente de referencia máxima
250 µA
- Q(G)
25 nC
- Q(G) tensión de referencia
10 V
- C(ISS)
840 pF
- C(ISS) tensión de referencia
30 V
- Temperatura de funcionamiento (min.)
-55 °C
- Tipo de montaje
Montaje en superficie
- serie
TrenchFET®
- Temperatura de funcionamiento (máx.)
+175 °C
- Característica del transistor
Puerta de nivel lógico
- U(DSS)
60 V
- canales
2
- Contenido
1 UD(S).
Documentos y descargas
Ficha técnica
Ficha técnica 597347 Vishay SI4946BEY-T1-E3 MOSFET 2 Canal N 3.7 W SOIC-8
Indicaciones de uso y seguridad
Indicaciones de uso y seguridad 597347 Vishay SI4946BEY-T1-E3 MOSFET 2 Canal N 3.7 W SOIC-8
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