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Vishay SI2308BDS-T1-GE3 MOSFET 1 Canal N 1.66 W SOT-23-3
Tipo de producto
MOSFET
viviendas
SOT-23-3
ejecución
Canal N
Potencia (máx.) P (TOT)
1.66 W
R(DS)(on)
156 mΩ
Ficha técnica (PDF)
EAN:
N.º pieza fabr.:
N.º artículo:
Especificaciones técnicas
- tipo
SI2308BDS-T1-GE3
- Tipo de producto
MOSFET
- viviendas
SOT-23-3
- Fabricante
Vishay
- Abrev. fabricante
VIS
- ejecución
Canal N
- I(d)
2.3 A
- T
60 V
- Potencia (máx.) P (TOT)
1.66 W
- R(DS)(on)
156 mΩ
- R(DS)(encendido) corriente de referencia
1.9 A
- R(DS)(encendido) tensión de referencia
10 V
- U(GS)(th) máx.
3 V
- U(GS)(th) corriente de referencia máxima
250 µA
- Q(G)
6.8 nC
- Q(G) tensión de referencia
10 V
- C(ISS)
190 pF
- C(ISS) tensión de referencia
30 V
- Temperatura de funcionamiento (min.)
-55 °C
- Tipo de montaje
Montaje en superficie
- serie
TrenchFET®
- Temperatura de funcionamiento (máx.)
+150 °C
- Característica del transistor
Estándar
- U(DSS)
60 V
- canales
1
- Contenido
1 UD(S).
Documentos y descargas
Ficha técnica
Ficha técnica 597300 Vishay SI2308BDS-T1-GE3 MOSFET 1 Canal N 1.66 W SOT-23-3
Indicaciones de uso y seguridad
Indicaciones de uso y seguridad 597300 Vishay SI2308BDS-T1-GE3 MOSFET 1 Canal N 1.66 W SOT-23-3
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