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BYG10M-E3/TR
Diodo avalancha
Vishay
VIS
1.5 A
1000 V
1.15 V
1.5 A
-55 °C
+150 °C
DO-214AC
Montaje en superficie
1 µA
1000 V
4 µs
Ficha técnica 564934 Vishay Diodo avalancha BYG10M-E3/TR Tipo de caja o envoltura (semiconductor) DO-214AC Tensión de bloqueo U(R) 1000 V Cor
Indicaciones de uso y seguridad 564934 Vishay Diodo avalancha BYG10M-E3/TR Tipo de caja o envoltura (semiconductor) DO-214AC Tensión de bloqueo U(R) 1000 V Cor
3,24 €*
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