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ON Semiconductor NDS0610 MOSFET 1 Canal P 360 mW SOT-23-3
Tipo de producto
MOSFET
viviendas
SOT-23-3
ejecución
Canal P
Potencia (máx.) P (TOT)
360 mW
R(DS)(on)
10 Ω
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Especificaciones técnicas
- tipo
NDS0610
- Tipo de producto
MOSFET
- viviendas
SOT-23-3
- Fabricante
ON Semiconductor
- Abrev. fabricante
OnS
- ejecución
Canal P
- I(d)
120 mA
- T
60 V
- Potencia (máx.) P (TOT)
360 mW
- R(DS)(on)
10 Ω
- R(DS)(encendido) corriente de referencia
500 mA
- R(DS)(encendido) tensión de referencia
10 V
- U(GS)(th) máx.
3.5 V
- U(GS)(th) corriente de referencia máxima
1 mA
- Q(G)
2.5 nC
- Q(G) tensión de referencia
10 V
- C(ISS)
79 pF
- C(ISS) tensión de referencia
25 V
- Temperatura de funcionamiento (min.)
-55 °C
- Tipo de montaje
Montaje en superficie
- Temperatura de funcionamiento (máx.)
+150 °C
- Característica del transistor
Estándar
- U(DSS)
60 V
- canales
1
- Contenido
1 UD(S).
Documentos y descargas
Indicaciones de uso y seguridad
Indicaciones de uso y seguridad 1264964 ON Semiconductor NDS0610 MOSFET 1 Canal P 360 mW SOT-23-3
Se compran juntos habitualmente
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