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ON Semiconductor FQP32N20C MOSFET 1 Canal N 156 W TO-220-3
Tipo de producto
MOSFET
viviendas
TO-220-3
ejecución
Canal N
Potencia (máx.) P (TOT)
156 W
R(DS)(on)
82 mΩ
EAN:
N.º pieza fabr.:
N.º artículo:
Número
Mín.: 10
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Especificaciones técnicas
- tipo
FQP32N20C
- Tipo de producto
MOSFET
- viviendas
TO-220-3
- Fabricante
ON Semiconductor
- Abrev. fabricante
OnS
- ejecución
Canal N
- I(d)
28 A
- T
200 V
- Potencia (máx.) P (TOT)
156 W
- R(DS)(on)
82 mΩ
- R(DS)(encendido) corriente de referencia
14 A
- R(DS)(encendido) tensión de referencia
10 V
- U(GS)(th) máx.
4 V
- U(GS)(th) corriente de referencia máxima
250 µA
- Q(G)
110 nC
- Q(G) tensión de referencia
10 V
- C(ISS)
2200 pF
- C(ISS) tensión de referencia
25 V
- Temperatura de funcionamiento (min.)
-55 °C
- Tipo de montaje
Agujero pasante
- serie
QFET®
- Temperatura de funcionamiento (máx.)
+150 °C
- Característica del transistor
Estándar
- U(DSS)
200 V
- canales
1
- Contenido
1 UD(S).
Documentos y descargas
Indicaciones de uso y seguridad
Indicaciones de uso y seguridad 1264200 ON Semiconductor FQP32N20C MOSFET 1 Canal N 156 W TO-220-3
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