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ON Semiconductor FDV301N MOSFET 1 Canal N 350 mW SOT-23-3
Tipo de producto
MOSFET
viviendas
SOT-23-3
ejecución
Canal N
Potencia (máx.) P (TOT)
350 mW
R(DS)(on)
4 Ω
EAN:
N.º pieza fabr.:
N.º artículo:
Número
Mín.: 15
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Especificaciones técnicas
- tipo
FDV301N
- Tipo de producto
MOSFET
- viviendas
SOT-23-3
- Fabricante
ON Semiconductor
- Abrev. fabricante
OnS
- ejecución
Canal N
- I(d)
220 mA
- T
25 V
- Potencia (máx.) P (TOT)
350 mW
- R(DS)(on)
4 Ω
- R(DS)(encendido) corriente de referencia
400 mA
- R(DS)(encendido) tensión de referencia
4.5 V
- U(GS)(th) máx.
1.06 V
- U(GS)(th) corriente de referencia máxima
250 µA
- Q(G)
0.7 nC
- Q(G) tensión de referencia
4.5 V
- C(ISS)
9.5 pF
- C(ISS) tensión de referencia
10 V
- Temperatura de funcionamiento (min.)
-55 °C
- Tipo de montaje
Montaje en superficie
- Temperatura de funcionamiento (máx.)
+150 °C
- Característica del transistor
Puerta de nivel lógico
- U(DSS)
25 V
- canales
1
- Contenido
1 UD(S).
Documentos y descargas
Indicaciones de uso y seguridad
Indicaciones de uso y seguridad 1264012 ON Semiconductor FDV301N MOSFET 1 Canal N 350 mW SOT-23-3
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