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Conrad

ON Semiconductor FDS8858CZ MOSFET 1 Canal N, Canal P 900 mW SOIC-8

Similar a la imagen
Tipo de producto
MOSFET
viviendas
SOIC-8
ejecución
Canal N
Canal P
Potencia (máx.) P (TOT)
900 mW
R(DS)(on)
17 mΩ
EAN:
N.º pieza fabr.:
N.º artículo:
Entrega inmediata Jue. 29/10
10 Unidad(es)

Vendido y enviado por  Conrad Electronic

Cantidad (Unidad(es))
Ahorro
Precio del embalaje (más el IVA aplicable)
1
-
1,08 €
10
7% = 0,80 €
1,00 €
25
11% = 3,00 €
0,96 €
50
13% = 7,00 €
0,94 €
100
15% = 16,00 €
0,92 €
250
19% = 50,00 €
0,88 €
500
21% = 115,00 €
0,85 €
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Especificaciones técnicas

tipo

FDS8858CZ

Tipo de producto

MOSFET

viviendas

SOIC-8

Fabricante

ON Semiconductor

Abrev. fabricante

OnS

ejecución

Canal N

Canal P

I(d)

8.6 A

7.3 A

T

30 V

Potencia (máx.) P (TOT)

900 mW

R(DS)(on)

17 mΩ

R(DS)(encendido) corriente de referencia

8.6 A

R(DS)(encendido) tensión de referencia

10 V

U(GS)(th) máx.

3 V

U(GS)(th) corriente de referencia máxima

250 µA

Q(G)

24 nC

Q(G) tensión de referencia

10 V

C(ISS)

1205 pF

C(ISS) tensión de referencia

15 V

Temperatura de funcionamiento (min.)

-55 °C

Tipo de montaje

Montaje en superficie

serie

PowerTrench®

Temperatura de funcionamiento (máx.)

+150 °C

Característica del transistor

Puerta de nivel lógico

U(DSS)

30 V

canales

1

Contenido

1 UD(S).

Documentos y descargas

Indicaciones de uso y seguridad

Indicaciones de uso y seguridad 1263964 ON Semiconductor FDS8858CZ MOSFET 1 Canal N, Canal P 900 mW SOIC-8

Se compran juntos habitualmente

(*Los precios no incluyen el IVA)
Precio total:

3,73 €*

Búsquedas frecuentes de MOSFET:

Accesorios

(*Los precios no incluyen el IVA)

El accesorio necesario es imprescindible para utilizar el artículo tal y como se describe

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(*Los precios no incluyen el IVA)