Similar a la imagen
Diotec Transistor (BJT), discreto DI2579N SOT-223 NPN
Tipo de producto
Transistor (BJT), discreto
viviendas
SOT-223
ejecución
NPN
Corriente de colector I(C)
1000 mA
Tensión emisor-colector U(CEO)
700 V
Ficha técnica (PDF)
N.º pieza fabr.:
N.º artículo:
Número
Mín.: 100
Total (0,24121 € / Unidad)
0,24 €
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Especificaciones técnicas
- tipo
DI2579N
- Tipo de producto
Transistor (BJT), discreto
- viviendas
SOT-223
- Fabricante
Diotec
- ejecución
NPN
- Corriente de colector I(C)
1000 mA
- Tensión emisor-colector U(CEO)
700 V
- Saturación VCE (máx.)
1000 mV
- Potencia (máx.) P (TOT)
1.25 W
- Amplificación de corriente CC (hFE)
20
- Frecuencia del tránsito f(T)
0 MHz
- Tipo de montaje
Montaje en superficie
- Conforme a la normativa RoHS
Sí
- Contenido
1 UD(S).
- Temperatura de funcionamiento (máx.)
150 °C
- UKCA
Sí
Documentos y descargas
Ficha técnica
Ficha técnica 2809617 Diotec Transistor (BJT), discreto DI2579N SOT-223 NPN
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