Name: Vishay Diodo avalancha BYG21M-E3/TR Tipo de caja o envoltura (semiconductor) DO-214AC Tensión de bloqueo U(R) 1000 V Cor
Brand: Vishay
SKU: 564939

Vishay Diodo avalancha BYG21M-E3/TR Tipo de caja o envoltura (semiconductor) DO-214AC Tensión de bloqueo U(R) 1000 V Cor-0

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Tipo de producto

Diodo avalancha

Corriente en estado de conducción I(F)

1.5 A

Tensión de bloqueo U(R)

1000 V

Tensión en estado de conexión, U(F)

1.6 V

viviendas

DO-214AC

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Especificaciones técnicas

tipo: BYG21M-E3/TR

Tipo de producto: Diodo avalancha

Fabricante: Vishay

Abrev. fabricante: VIS

Corriente en estado de conducción I(F): 1.5 A

Tensión de bloqueo U(R): 1000 V

Tensión en estado de conexión, U(F): 1.6 V

Tensión en estado de conexión, referencia: 1.5 A

Temperatura de funcionamiento (min.): -55 °C

Temperatura de funcionamiento (máx.): +150 °C

viviendas: DO-214AC

Tipo de montaje: Montaje en superficie

Corriente inversa I(r): 1 µA

Corriente inversa I(r) - referencia: 1000 V

Tiempo de demora de bloqueo T(rr): 120 ns

Variantes(Los precios no incluyen el IVA legal, más gastos de envío)

Tensión de bloqueo U(R)

Corriente en estado de conducción I(F)

Tensión en estado de conexión, U(F)

Tipo de montaje

viviendas

Vishay Diodo avalancha BYG21M-E3/TR Tipo de caja o envoltura (semiconductor) DO-214AC Tensión de bloqueo U(R) 1000 V Corriente en estado de conducción I(F) 1.5 A

N.º artículo:564939

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Este artículo

1000 V

1.5 A

1.6 V

Montaje en superficie

DO-214AC

Unidad(es)

Mín.: 1

Múltiplos: 1

Vishay Diodo avalancha BYG10M-E3/TR Tipo de caja o envoltura (semiconductor) DO-214AC Tensión de bloqueo U(R) 1000 V Corriente en estado de conducción I(F) 1.5 A

N.º artículo:564934

Entrega inmediata Mié. 04/11

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1.5 A

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Vishay Diodo avalancha BYG10Y-E3/TR Tipo de caja o envoltura (semiconductor) DO-214AC Tensión de bloqueo U(R) 1600 V Corriente en estado de conducción I(F) 1.5 A

N.º artículo:564935

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1600 V

1.5 A

1.15 V

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Vishay Diodo avalancha BYG20J-E3/TR Tipo de caja o envoltura (semiconductor) DO-214AC Tensión de bloqueo U(R) 600 V Corriente en estado de conducción I(F) 1.5 A

N.º artículo:564937

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600 V

1.5 A

1.4 V

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Vishay Diodo avalancha BYG22D-E3/TR Tipo de caja o envoltura (semiconductor) DO-214AC Tensión de bloqueo U(R) 200 V Corriente en estado de conducción I(F) 2 A

N.º artículo:564941

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200 V

2 A

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Vishay Diodo avalancha BYG23M-E3/TR Tipo de caja o envoltura (semiconductor) DO-214AC Tensión de bloqueo U(R) 1000 V Corriente en estado de conducción I(F) 1.5 A

N.º artículo:564943

Entrega inmediata Mié. 04/11

1798 Unidad(es)

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1000 V

1.5 A

1.7 V

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Vishay Diodo avalancha BYV26C-TAP Tipo de caja o envoltura (semiconductor) SOD-57 Tensión de bloqueo U(R) 600 V Corriente en estado de conducción I(F) 1 A

N.º artículo:564957

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600 V

1 A

2.5 V

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Vishay Diodo avalancha BYV26E-TAP Tipo de caja o envoltura (semiconductor) SOD-57 Tensión de bloqueo U(R) 1000 V Corriente en estado de conducción I(F) 1 A

N.º artículo:564959

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4708 Unidad(es)

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1000 V

1 A

2.5 V

Agujero pasante

SOD-57

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Mín.: 1

Múltiplos: 1

0,19 €^*

Vishay Diodo avalancha BYV27-100-TAP Tipo de caja o envoltura (semiconductor) SOD-57 Tensión de bloqueo U(R) 100 V Corriente en estado de conducción I(F) 2 A

N.º artículo:564961

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640 Unidad(es)

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100 V

2 A

1.07 V

Agujero pasante

SOD-57

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0,33 €^*

Vishay Diodo avalancha BYV28-200-TAP Tipo de caja o envoltura (semiconductor) SOD-64 Tensión de bloqueo U(R) 200 V Corriente en estado de conducción I(F) 3.5 A

N.º artículo:564965

Entrega inmediata Mié. 04/11

2754 Unidad(es)

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200 V

3.5 A

1.1 V

Agujero pasante

SOD-64

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Mín.: 1

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2,49 €^*

Documentos y descargas

Ficha técnica

Ficha técnica 564939 Vishay Diodo avalancha BYG21M-E3/TR Tipo de caja o envoltura (semiconductor) DO-214AC Tensión de bloqueo U(R) 1000 V Cor

Indicaciones de uso y seguridad

Indicaciones de uso y seguridad 564939 Vishay Diodo avalancha BYG21M-E3/TR Tipo de caja o envoltura (semiconductor) DO-214AC Tensión de bloqueo U(R) 1000 V Cor

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Bolsa de protección ESD con sello de presión (Lon. x Anch.) 300 mm x 200 mm N/A Fuerzas del material 80 µm

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