Taiwan Semiconductor Diodo ESD BAV21 R0G 200 V 200 mA Tape
Tipo de embalaje
Tape
Tipo de producto
Diodo ESD
Corriente en estado de conducción I(F)
200 mA
Tensión de bloqueo U(R)
200 V
Tensión en estado de conexión, U(F)
1.25 V
Ficha técnica (PDF)
EAN:
N.º pieza fabr.:
N.º artículo:
Número
Mín.: 70
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Especificaciones técnicas
- Tipo de embalaje
Tape
- tipo
BAV21 R0G
- Tipo de producto
Diodo ESD
- Fabricante
Taiwan Semiconductor
- Corriente en estado de conducción I(F)
200 mA
- Tensión de bloqueo U(R)
200 V
- Tensión en estado de conexión, U(F)
1.25 V
- Corriente inversa I(r)
100 nA
- Temperatura de funcionamiento (min.)
-55 °C
- Temperatura de funcionamiento (máx.)
175 °C
- Tipo de montaje
Montaje de agujeros pasantes
- Tiempo de demora de bloqueo T(rr)
50 ns
- serie
BAV_
- Conforme a la normativa RoHS
Sí
- Configuración (diodo)
Single
- U(RRM)
250 V
Documentos y descargas
Ficha técnica
Ficha técnica 2993513 Taiwan Semiconductor Diodo ESD BAV21 R0G 200 V 200 mA Tape
Indicaciones de uso y seguridad
Indicaciones de uso y seguridad 2993513 Taiwan Semiconductor Diodo ESD BAV21 R0G 200 V 200 mA Tape
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