ON Semiconductor Transistor (BJT), discreto 2N6491G TO-220 PNP Tube
Tipo de embalaje
Tube
Tipo de producto
Transistor (BJT), discreto
viviendas
TO-220
ejecución
PNP
Corriente de colector I(C)
15 A
Ficha técnica (PDF)
EAN:
N.º pieza fabr.:
N.º artículo:
Número
Mín.: 50
Múltiplos: 50
Total (1,49 € / Unidad)
1,49 €
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Especificaciones técnicas
- Tipo de embalaje
Tube
- tipo
2N6491G
- Tipo de producto
Transistor (BJT), discreto
- viviendas
TO-220
- Fabricante
ON Semiconductor
- ejecución
PNP
- Corriente de colector I(C)
15 A
- Tensión emisor-colector U(CEO)
80 V
- Potencia (máx.) P (TOT)
75 W
- Amplificación de corriente CC hFE - corriente de referencia
20 µA
- Frecuencia del tránsito f(T)
0.005 GHz
- Tipo de montaje
Agujero pasante
- Contenido
1 UD(S).
- UKCA
Sí
Documentos y descargas
Ficha técnica
Ficha técnica 3027554 ON Semiconductor Transistor (BJT), discreto 2N6491G TO-220 PNP Tube
Indicaciones de uso y seguridad
Indicaciones de uso y seguridad 3027554 ON Semiconductor Transistor (BJT), discreto 2N6491G TO-220 PNP Tube
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