Infineon Technologies IRF7342PBF-GURT MOSFET 2 Canal P 2.0 W SO-8
Tipo de producto
MOSFET
viviendas
SO-8
ejecución
Canal P
Potencia (máx.) P (TOT)
2.0 W
R(DS)(on)
0.17 Ω
Ficha técnica (PDF)
EAN:
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Especificaciones técnicas
- tipo
IRF7342PBF-GURT
- Tipo de producto
MOSFET
- viviendas
SO-8
- Fabricante
Infineon Technologies
- ejecución
Canal P
- Potencia (máx.) P (TOT)
2.0 W
- R(DS)(on)
0.17 Ω
- Tipo de montaje
Montaje en superficie
- canales
2
- Contenido
1 UD(S).
- UKCA
Sí
Documentos y descargas
Ficha técnica
Ficha técnica 3026246 Infineon Technologies IRF7342PBF-GURT MOSFET 2 Canal P 2.0 W SO-8
Indicaciones de uso y seguridad
Indicaciones de uso y seguridad 3026246 Infineon Technologies IRF7342PBF-GURT MOSFET 2 Canal P 2.0 W SO-8
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