Infineon Technologies IRF7319PBF-GURT MOSFET 2 Canal N, Canal P 2.0 W SO-8
Tipo de producto
MOSFET
viviendas
SO-8
ejecución
Canal N
Canal P
Potencia (máx.) P (TOT)
2.0 W
R(DS)(on)
0.098 Ω
Ficha técnica (PDF)
EAN:
N.º pieza fabr.:
N.º artículo:
Número
Total (1,29 € / Unidad)
1,29 €
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Especificaciones técnicas
- tipo
IRF7319PBF-GURT
- Tipo de producto
MOSFET
- viviendas
SO-8
- Fabricante
Infineon Technologies
- ejecución
Canal N
Canal P
- I(d)
6.5 A
- T
30 V
- Potencia (máx.) P (TOT)
2.0 W
- R(DS)(on)
0.098 Ω
- Tipo de montaje
Montaje en superficie
- canales
2
- Contenido
1 UD(S).
Documentos y descargas
Ficha técnica
Ficha técnica 3026243 Infineon Technologies IRF7319PBF-GURT MOSFET 2 Canal N, Canal P 2.0 W SO-8
Indicaciones de uso y seguridad
Indicaciones de uso y seguridad 3026243 Infineon Technologies IRF7319PBF-GURT MOSFET 2 Canal N, Canal P 2.0 W SO-8
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